SK海力士探索高带宽存储堆叠 NAND 和 DRAM 作者： 时间：2025-11-11 来源：TrendForce集邦咨询 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存 （HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的内存领域：高带宽存储 （HBS）。正如 ETner:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 报道的那样，哈佛商学院将移动 DRAM 和 NAND 相结合，以提高智能手机、平板电脑和其他移动设备的 AI 性能。

报告援引消息人士解释说，SK海力士正在将低功耗宽I/O DRAM与NAND堆叠在一起，以创建HBS，它可以堆叠多达16层DRAM和NAND。根据 ETNer:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 的说法，这些层通过垂直线扇出 （VFO） 互连，显着提高了数据处理速度。

值得注意的是，这并不是SK海力士首次使用VFO。ETNer:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 报道称，该公司此前为苹果 Vision Pro 提供了采用垂直线扇出技术封装的 DRAM，而新的 HBS 通过集成 NAND 进一步推动了这一概念。

据SK海力士称，2023年首次亮相的VFO是一种通过垂直连接电线而不是弯曲电线来最大限度地减少空间并降低功耗的技术。它还彻底改变了大型扇出晶圆级封装 （WLP），这是一种将 I/O 端子与芯片外部电线连接起来的封装技术。

SK海力士声称其垂直扇出设计带来了显着的收益：与传统设计相比，电线长度减少了4.6倍，从而将电源效率提高了4.9%。该公司指出，除此之外，该技术还降低了 27% 的包装高度，并将散热提高了 1.4%。

报告指出，值得注意的是，与 HBM 不同，HBS 不需要穿透芯片的硅通孔 （TSV） 工艺，从而使其具有更高的良率和更低的制造成本。

潜在应用/HBF 路线图

展望未来，ETNer:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s 指出，DRAM 和 NAND 堆叠的 HBS 与应用处理器 （AP） 一起封装，并直接集成到移动设备中。因此，该报告表明，SK海力士开发HBS是为了满足智能手机、平板电脑和其他移动平台对增强人工智能性能不断增长的需求。

SK海力士的最新举措与其早些时候的专利申请相一致。据Sisa Journal3 月份报道，该公司于 2 月份向韩国知识产权局 （KIPO） 申请了“LPW NAND”商标，该技术被认为反映了 SanDisk 的高带宽闪存 （HBF）。报告指出，SanDisk 的第一代 HBF 堆叠 16 层，达到 512GB，提供类似 HBM 的带宽，同时将容量扩展 8-16 倍。

展望未来，根据Wccftech引用的路线图，SK 海力士的 HBF 产品预计将于 2029 年至 2031 年之间上市。